HBM4 đang chiếm dụng đáng kể công suất 4nm của Samsung 3

Sự bùng nổ của HBM4 đang tạo ra một thay đổi đáng chú ý trong ngành bán dẫn: nhu cầu về bộ nhớ AI không chỉ thúc đẩy sản xuất DRAM mà còn kéo theo nhu cầu đối với các tiến trình logic tiên tiến.

Samsung Electronics được cho là đang dành hơn một nửa công suất sản xuất 4nm cho base die của HBM4, trong bối cảnh nhu cầu đối với loại bộ nhớ này tiếp tục tăng nhanh.

Theo ZDNet Korea, các nguồn tin trong và ngoài Samsung cho biết khoảng 50% công suất 4nm của Samsung đã được dành cho HBM4 vào tháng trước. Các dây chuyền 4nm được cho là đang hoạt động ở mức tối đa, với HBM4 base die chiếm khoảng 50–60% sản lượng.

Đây là một diễn biến đáng chú ý bởi HBM4 không chỉ là câu chuyện về DRAM.

HBM4 tạo thêm nhu cầu cho công nghệ logic

Trong một stack HBM, các lớp DRAM được xếp chồng lên nhau phía trên một base die. Base die này đảm nhiệm vai trò kết nối và điều phối dữ liệu giữa bộ nhớ và bộ xử lý AI. Khi tốc độ truyền dữ liệu và yêu cầu về hiệu năng của HBM tăng lên, base die cũng cần sử dụng các công nghệ sản xuất tiên tiến hơn.

Samsung đã lựa chọn 4nm logic process cho base die của HBM4. Điều này có nghĩa là sự tăng trưởng của HBM4 đang trực tiếp tạo thêm nhu cầu đối với năng lực sản xuất logic tiên tiến của Samsung.

Theo ZDNet Korea, Samsung hiện sản xuất các sản phẩm từ 4nm đến 7nm tại Pyeongtaek Campus 2 và Campus 3, với các dây chuyền S5 và S6 được sử dụng cho hoạt động foundry.

Tổng công suất 4nm tại các cơ sở này được báo cáo ở mức khoảng 30.000 wafer mỗi tháng. Nếu 50% công suất được dành cho HBM4 base die, con số tương ứng sẽ vào khoảng 15.000 wafer/tháng. Tuy nhiên, đây là số liệu được báo cáo dựa trên các nguồn trong ngành, không phải con số Samsung công bố chính thức.

Samsung có một lợi thế đặc biệt

Điểm đáng chú ý hơn nằm ở cấu trúc của Samsung. Samsung vừa có năng lực DRAM, vừa sở hữu hoạt động foundry, cho phép công ty kiểm soát nhiều thành phần trong quá trình phát triển HBM4.

Đây là lợi thế mà không phải nhà sản xuất memory nào cũng có. HBM3 và HBM3E đã bắt đầu đưa base die vào các quy trình logic tiên tiến hơn do yêu cầu về tốc độ dữ liệu và pin speed ngày càng cao. Với HBM4, xu hướng này tiếp tục được đẩy xa hơn.

Trong khi Samsung có thể sản xuất base die bằng công nghệ foundry nội bộ, SK hynix được cho là hợp tác với TSMC cho phần base die, còn Micron được cho là sử dụng quy trình tùy chỉnh của riêng mình.

Cuộc đua HBM đang mở rộng

Điều này cho thấy cuộc cạnh tranh HBM thế hệ mới đang thay đổi. Trước đây, khi nói về HBM, trọng tâm chủ yếu nằm ở DRAM density, bandwidth và yield. Nhưng khi base die ngày càng sử dụng các công nghệ logic tiên tiến, cuộc chơi bắt đầu mở rộng sang foundry capacity và advanced process technology.

ZDNet Korea trước đó cũng đưa tin Samsung đang xem xét sử dụng 2nm cho base die HBM trong tương lai, trong đó có khả năng dành cho các sản phẩm AI accelerator cao cấp.

Nếu xu hướng này tiếp tục, HBM4 và các thế hệ HBM tiếp theo sẽ không còn đơn thuần là câu chuyện về memory supply. Chúng có thể trở thành một yếu tố cạnh tranh trực tiếp cho advanced-node foundry capacity trong kỷ nguyên AI.

Nguồn: ZDNet Korea, 7/9/2026; Samsung Semiconductor.