Samsung bứt tốc HBM4, cuộc đua với SK hynix nóng lên 3

Samsung Electronics đang cho thấy những tín hiệu tích cực trong cuộc đua HBM4 khi tỷ lệ yield được cho là đã tăng lên khoảng 80%, cao hơn đáng kể so với mức dưới 60% tại thời điểm bắt đầu sản xuất hàng loạt vào tháng 2. Động thái này có thể giúp Samsung nhanh chóng mở rộng nguồn cung HBM4 trong nửa cuối năm 2026, đồng thời thu hẹp khoảng cách với SK hynix trên thị trường bộ nhớ băng thông cao.

Yield HBM4 của Samsung tăng nhanh hơn dự kiến

Theo Seoul Economic Daily, yield HBM4 của Samsung hiện đã đạt khoảng 80%. Đây là mức cải thiện đáng kể so với giai đoạn đầu sản xuất hàng loạt, khi yield chỉ ở mức dưới 60%. Samsung trước đó đặt mục tiêu nâng yield HBM4 lên 80% vào cuối năm 2026. Tuy nhiên, tốc độ cải thiện quy trình sản xuất được cho là đã vượt kỳ vọng, giúp công ty đạt mục tiêu sớm hơn dự kiến.

Một trong những yếu tố được cho là đóng góp vào sự cải thiện này là quy trình thermal compression non-conductive film (TC-NCF). Đây từng được xem là một trong những điểm yếu trong quá trình sản xuất HBM của Samsung.

Bên cạnh đó, nền tảng 1c DRAM sử dụng trong HBM4 cũng đang hỗ trợ Samsung cải thiện sản xuất. Theo ETNews, yield của 1c DRAM của Samsung đã vượt 80% từ đầu năm, tạo nền tảng tương đối ổn định cho quá trình sản xuất HBM4.

Samsung đặt mục tiêu tăng mạnh doanh thu HBM4

Khi yield được cải thiện, Samsung đang chuẩn bị mở rộng sản lượng HBM4. Theo Seoul Economic Daily, Samsung dự kiến doanh thu từ HBM4 trong quý III sẽ tăng hơn ba lần. HBM4 cũng được kỳ vọng chiếm hơn 60% tổng doanh số HBM của Samsung trong nửa cuối năm 2026.

Công ty đồng thời đặt mục tiêu nâng thị phần HBM lên khoảng 38% vào cuối năm, tương đương với thị phần của Samsung trên thị trường DRAM nói chung. Nếu đạt được mục tiêu này, Samsung sẽ có cơ hội đáng kể để củng cố vị thế trong thị trường HBM vốn đang được thúc đẩy mạnh bởi nhu cầu từ các hệ thống tăng tốc AI và hạ tầng máy chủ hiệu năng cao.

Nguồn cung HBM4 có thể hỗ trợ NVIDIA Vera Rubin

Việc Samsung tăng sản lượng HBM4 cũng có thể tác động đến chuỗi cung ứng bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo của NVIDIA, Vera Rubin.

Các bộ tăng tốc AI cao cấp phụ thuộc lớn vào HBM để cung cấp băng thông bộ nhớ cần thiết cho khối lượng tính toán lớn. Vì vậy, việc có thêm một nhà cung cấp HBM đủ năng lực sản xuất sẽ giúp các khách hàng lớn như NVIDIA giảm sự phụ thuộc vào một nguồn cung duy nhất.

Đối với NVIDIA, nguồn cung HBM ổn định cũng có ý nghĩa quan trọng trong việc mở rộng sản xuất các hệ thống tăng tốc AI thế hệ mới.

Thị phần HBM4: Samsung tăng tốc, SK hynix chịu áp lực

Dự báo của TrendForce cho thấy vị thế của Samsung trên thị trường HBM4 có thể cải thiện đáng kể trong năm 2026. Samsung được kỳ vọng hưởng lợi từ tiến độ qualification với khách hàng và sản lượng HBM4 dự kiến tăng. Ngược lại, thị phần của SK hynix có thể chịu ảnh hưởng bởi những trì hoãn trong quá trình qualification và sự thay đổi về phân bổ công suất sản xuất. Micron được dự báo duy trì thị phần tương đối ổn định do mức độ tham gia vào HBM4 hiện vẫn còn hạn chế.

Điều này cho thấy cuộc cạnh tranh HBM đang bước sang một giai đoạn mới. Không chỉ năng lực công nghệ, khả năng đạt yield cao và nhanh chóng mở rộng sản lượng cũng đang trở thành yếu tố quyết định thị phần.

SK hynix cũng được cho là đạt yield HBM4 khoảng 80%

Samsung không phải nhà sản xuất duy nhất đang cải thiện yield HBM4. Theo Infostock Daily, một số nguồn tin trong ngành ước tính yield HBM4 của SK hynix cũng đã đạt khoảng 80%.

SK hynix có lợi thế từ kinh nghiệm sản xuất HBM qua nhiều thế hệ, cùng công nghệ đóng gói Advanced Mass Ref Molded Underfill (MR-MUF). Đây được xem là nền tảng quan trọng giúp công ty tiếp tục tăng sản lượng HBM4 trong nửa cuối năm.

SK hynix cũng đang chuẩn bị mở rộng công suất. Theo ETNews, công ty đang thảo luận về các đơn hàng cho nửa cuối năm với nhiều nhà cung cấp thiết bị sản xuất HBM và có kế hoạch bổ sung thiết bị để tăng năng lực sản xuất HBM4.

Đàm phán tiền lương trở thành biến số mới của SK hynix

Trong khi năng lực sản xuất đang được mở rộng, SK hynix lại phải đối mặt với một vấn đề khác liên quan đến quan hệ lao động. Trong vòng đàm phán tiền lương và thỏa ước tập thể lần thứ năm năm 2026, ban lãnh đạo và người lao động SK hynix vẫn chưa đạt được thỏa thuận về khoản thưởng.

Trọng tâm tranh chấp nằm ở cơ chế Profit Sharing (PS). Theo đề xuất, thay vì duy trì mức trần thưởng tương đương 1.000% lương cơ bản như trước đây, công ty sẽ phân bổ 10% lợi nhuận hoạt động của năm trước vào quỹ PS. Khoảng 80% khoản thưởng được tính cho nhân viên sẽ được trả trong cùng năm, trong khi 20% còn lại được trả trong hai năm tiếp theo.

Cơ chế này dự kiến được duy trì trong vòng 10 năm. Tuy nhiên, công đoàn đang phản đối đề xuất sử dụng cổ phiếu quỹ để chi trả hơn một nửa khoản PS của năm nay, đồng thời áp dụng thời gian hạn chế bán số cổ phiếu này.

Nếu tranh chấp kéo dài hoặc leo thang thành đình công, quá trình mở rộng sản xuất HBM4 của SK hynix có thể chịu thêm áp lực vào đúng thời điểm Samsung đang đẩy nhanh việc cải thiện yield và tăng công suất.

HBM tiếp tục khan hiếm đến năm 2027

Cuộc cạnh tranh giữa Samsung, SK hynix và Micron diễn ra trong bối cảnh nhu cầu HBM tiếp tục tăng mạnh. TrendForce dự báo các nhà sản xuất HBM vẫn sẽ duy trì khả năng định giá mạnh cho đến năm 2027 do nguồn cung chưa thể đáp ứng đầy đủ nhu cầu.

Sản lượng bit HBM được dự báo tăng 50–60% trong năm 2027. Tuy nhiên, ngay cả mức tăng này vẫn có thể thấp hơn tốc độ tăng trưởng nhu cầu, đồng nghĩa thị trường HBM nhiều khả năng tiếp tục duy trì trạng thái khan hiếm.

Điều này khiến yield và công suất sản xuất trở thành hai yếu tố đặc biệt quan trọng. Với Samsung, việc đưa yield HBM4 lên khoảng 80% sớm hơn kế hoạch có thể tạo cơ hội để hãng tăng sản lượng và giành lại thị phần. Trong khi đó, SK hynix vẫn có lợi thế về kinh nghiệm sản xuất HBM và công nghệ đóng gói, nhưng sẽ phải xử lý đồng thời bài toán mở rộng công suất và quan hệ lao động.

Cuộc đua HBM4 vì vậy đang chuyển từ cuộc cạnh tranh thuần túy về công nghệ sang cuộc đua toàn diện về yield, công suất, qualification và khả năng cung ứng ổn định cho các khách hàng lớn.