Thư mời tham dự Hội thảo về giải pháp bộ nhớ Samsung cho hạ tầng số 2026

Kính gửi Quý Khách hàng & Quý Đối tác,

Trong kỷ nguyên AI bùng nổ, hạ tầng bộ nhớ giữ vai trò then chốt quyết định hiệu năng và khả năng mở rộng của toàn bộ hệ thống. Nhằm mang đến những giải pháp tối ưu cho trung tâm dữ liệu và điện toán đám mây, Công ty Cổ phần VDO phối hợp cùng Samsung Electronics và Yosun Singapore tổ chức hội thảo chuyên đề: “Next-Gen Memory, Next-Gen Performance - Driving the Future of AI Infrastructure with Samsung Memory”.

Tại sự kiện, các chuyên gia hàng đầu trong lĩnh vực bộ nhớ, trung tâm dữ liệu và AI sẽ chia sẻ những xu hướng công nghệ mới nhất, cùng tầm nhìn chiến lược cho hạ tầng số trong tương lai.

VDO trân trọng kính mời Quý Khách hàng và Quý Đối tác tham dự hội thảo để cùng khám phá các giải pháp tiên tiến, đồng thời mở ra cơ hội hợp tác lâu dài trong lĩnh vực hạ tầng công nghệ.

Thời gian: Thứ tư, ngày 03/12/2025 | 09:00 - 12:00

Địa điểm: Khách sạn Lotte Sài Gòn, 2A-4A Tôn Đức Thắng, Phường Sài Gòn, TP. Hồ Chí Minh

NỘI DUNG CHÍNH

Xu hướng và cơ hội thị trường bộ nhớ toàn cầu
Lộ trình sản phẩm Samsung memory 2026
Yosun - Đảm bảo nguồn cung Samsung memory chính hãng
xFusion - Máy chủ HCI và giải pháp cooling cho trung tâm dữ liệu hiện đại
VDO - Tích hợp Samsung memory vào các dòng máy chủ
Case study: HITC Sunteco - Tối ưu chi phí và nâng cao hiệu suất với Samsung memory
Bốc thăm may mắn

Để công tác tổ chức và đón tiếp được chu đáo, Quý vị vui lòng đăng ký tham dự trước ngày 25/11/2025.

Chi tiết vui lòng liên hệ: Mrs. Doãn Thị Thu Hà | [email protected] | 0919 40 8588

VDO rất hân hạnh được đón tiếp Quý vị tại sự kiện!

Trân trọng kính mời!

3 Bình luận