Samsung hé lộ lộ trình CXL: Mẫu thử CMM-D 2.0 hoàn tất, bản 3.1 ra mắt cuối năm

Tại Hội nghị Thượng đỉnh OCP Global 2025, Samsung không chỉ chia sẻ những bước tiến của HBM4e - dòng bộ nhớ băng thông cao thế hệ mới với tốc độ vượt 13 Gbps mỗi chân và băng thông tối đa đạt 3,25 TB/s mà còn công bố lộ trình phát triển đầy tham vọng cho mô-đun bộ nhớ CXL (Compute Express Link), theo TechNews.

Samsung đang mở rộng mạnh mẽ danh mục sản phẩm CXL với dòng CMM-D, dự kiến ra mắt chính thức trong năm 2025. Phiên bản CMM-D 2.0 cung cấp tùy chọn dung lượng 128 GB và 256 GB, đạt băng thông 36 GB/s, hỗ trợ chuẩn CXL 2.0, PCIe Gen 5 và tương thích với một kênh DDR5. Các mẫu thử hiện đã được chuyển tới khách hàng để đánh giá.

Theo giải thích của Samsung, CMM-D được thiết kế nhằm mở rộng bộ nhớ hệ thống bằng cách liên kết linh hoạt giữa các CPU, GPU và thiết bị tăng tốc. Mô-đun có thể tích hợp trực tiếp với các mô-đun DIMM hiện có, giúp tăng dung lượng bộ nhớ lên đến 50% và gấp đôi băng thông, đồng thời giảm tổng chi phí sở hữu (TCO) nhờ tận dụng hạ tầng sẵn có.

TechNews cho biết thêm, trong khi phiên bản CMM-D 1.1 của Samsung là giải pháp CXL đầu tiên trong ngành sử dụng firmware mã nguồn mở, CMM-D 2.0 tập trung xây dựng nền tảng học tập và cung cấp các giải pháp toàn diện hơn.

Bước tiếp theo trong lộ trình, Samsung đang nghiên cứu CMM-D 3.1 với mục tiêu hoàn thiện thiết kế vào cuối năm nay. Mô-đun mới được kỳ vọng đạt dung lượng tới 1 TB, băng thông 72 GB/s, hỗ trợ CXL 3.0, PCIe Gen 6 và hai kênh DDR5, mang đến khả năng chia sẻ và gộp tài nguyên linh hoạt hơn.

Cuộc đua CXL nóng lên giữa các “ông lớn” bộ nhớ

Theo tờ Chosun Daily, trong bối cảnh thị trường HBM ngày càng sôi động, các hãng sản xuất chip hàng đầu đang mở rộng chiến lược bán dẫn AI bằng việc tích hợp Compute Express Link (CXL) – giao diện bộ nhớ thế hệ mới giúp tối ưu truyền dữ liệu giữa CPU, GPU và DRAM. Nhờ hiệu năng cao hơn và giảm số lượng chip cần thiết, CXL hứa hẹn giúp doanh nghiệp cắt giảm chi phí hạ tầng đáng kể.

SK hynix, hiện là nhà dẫn đầu trong lĩnh vực HBM, đã hoàn tất xác nhận mô-đun DDR5 CXL 96 GB với khách hàng vào cuối tháng 4, đạt dung lượng cao hơn 50% và băng thông lớn hơn 30% so với DDR5 thông thường. Hãng cũng đang phát triển phiên bản 128 GB và tích hợp công nghệ chiplet vào bộ điều khiển CXL nội bộ đầu tiên, dự kiến sản xuất bởi TSMC.

Trước đó, SK hynix từng sử dụng bộ điều khiển CXL của Montage Technology (Trung Quốc) trong mô-đun CMM-DDR5 ra mắt năm 2024, nhưng hiện đã sẵn sàng tự phát triển bộ điều khiển riêng cho chuẩn CXL 3.0 và 3.1.

Trong khi đó, Micron Technology - nhà sản xuất chip nhớ lớn thứ ba thế giới cũng đang tăng tốc với các mô-đun mở rộng bộ nhớ dựa trên chuẩn CXL 2.0, nỗ lực thu hẹp khoảng cách công nghệ với hai đối thủ Hàn Quốc.

Sự cạnh tranh giữa Samsung, SK hynix và Micron cho thấy CXL đang trở thành hướng đi chiến lược của ngành bán dẫn, mở ra kỷ nguyên bộ nhớ linh hoạt, hiệu suất cao và tối ưu cho hệ sinh thái điện toán AI toàn cầu.

3 Bình luận