Samsung tăng tốc cuộc đua tiến trình: hướng tới 1nm vào 2030, yield 2nm vượt mốc 60%

Samsung Electronics đang đẩy mạnh chiến lược phát triển công nghệ bán dẫn tiên tiến, cho thấy tham vọng bứt phá ở các node hàng đầu. Theo Hankyung, mảng foundry của hãng đặt mục tiêu chạm mốc 1nm vào năm 2030, đồng thời mở rộng danh mục các biến thể 2nm để thu hút thêm khách hàng lớn.

Ở thế hệ 1nm, Samsung được cho là sẽ áp dụng kiến trúc forksheet, một bước tiến tiếp theo sau công nghệ gate-all-around (GAA) đang được sử dụng đến node 2nm. GAA giúp dòng điện đi qua cả bốn mặt của kênh dẫn, cải thiện hiệu suất và tiết kiệm điện năng. Trong khi đó, forksheet bổ sung các lớp cách điện giữa các transistor, giúp giảm khoảng cách và tăng mật độ tích hợp trên cùng một diện tích chip.

Không chỉ Samsung, TSMC cũng được kỳ vọng sẽ áp dụng cấu trúc forksheet cho tiến trình 1nm trong tương lai. Việc cả hai cùng theo đuổi hướng đi này cho thấy cuộc cạnh tranh ở các node dưới 2nm sẽ ngày càng khốc liệt.

Ở hiện tại, Samsung cũng ghi nhận tiến triển rõ rệt với tiến trình 2nm. Theo các nguồn tin, yield đã vượt 60% ở mức cao, cho thấy hiệu quả sản xuất được cải thiện đáng kể, qua đó làm tăng kỳ vọng mảng foundry có thể sớm quay lại trạng thái có lợi nhuận.

Đáng chú ý, với chip AI 2nm “AI6” của Tesla, Samsung đang phát triển quy trình riêng mang tên SF2T, dự kiến sản xuất hàng loạt vào năm 2027 tại nhà máy Taylor, Texas. Song song đó, hãng cũng đẩy nhanh các biến thể khác như SF2P cho chip smartphone thế hệ mới từ năm 2026 và SF2P+ dự kiến ra mắt vào năm 2027.

Cuộc đua 1nm nóng lên trên toàn cầu

Không chỉ Samsung, các công ty khác cũng đang tăng tốc trong lộ trình 1nm. Theo Nikkei XTech, Rapidus đặt mục tiêu rút ngắn khoảng cách công nghệ với TSMC xuống còn khoảng 6 tháng ở node 1nm, đồng thời lên kế hoạch phát triển công nghệ 1.4nm từ năm 2026 và hướng tới sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2029.

Trong khi đó, Economic Daily News cho biết TSMC có thể triển khai tiến trình 1.4nm sớm hơn, với nhà máy tại Central Taiwan Science Park dự kiến hoàn tất sản xuất thử vào cuối năm 2027 và bước vào sản xuất hàng loạt trong nửa cuối năm 2028.

Khi ngành bán dẫn tiến gần tới các node dưới 2nm, cuộc cạnh tranh không còn chỉ là thu nhỏ kích thước transistor mà còn nằm ở khả năng tối ưu yield, tốc độ triển khai và năng lực thương mại hóa công nghệ.

3 Bình luận