SK hynix - DRAM - HBM - HBM3

Bộ nhớ HBM3 đầu tiên trên thế giới được phát triển vào tháng 10 năm 2021

Chỉ trong vòng 15 tháng kể từ khi bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM2E, SK hynix đã củng cố vị thế dẫn đầu trong lĩnh vực DRAM tốc độ cao bằng cách phát triển HBM3, thế hệ bộ nhớ băng rộng cao nhất dành cho các công nghệ tiên tiến trong trung tâm dữ liệu, siêu máy tính và AI.

Tản nhiệt tiên tiến

HBM3 hoạt động ở nhiệt độ thấp hơn so với HBM2E ở cùng mức điện áp hoạt động, tăng cường độ ổn định cho môi trường hệ thống máy chủ. Ở nhiệt độ hoạt động tương đương, HBM3 của SK hynix có thể hỗ trợ 12-die stack hoặc gấp 1,5 lần dung lượng so với HBM2E, và tốc độ I/O 6Gbps cho băng thông cao hơn 1,8 lần. Với khả năng tản nhiệt tốt hơn trong cùng điều kiện hoạt động, SK hynix đã thực hiện được sáng kiến Memory ForEST* của mình.

Tăng cường hiệu suất

HBM3 của SK hynix, với dung lượng gấp 1,5 lần so với HBM2E từ 12 die DRAM được xếp chồng lên cùng chiều cao gói tổng thể, phù hợp để cung cấp năng lượng cho các ứng dụng đòi hỏi dung lượng cao như AI và HPC. Một khối đơn lẻ có thể đạt tốc độ băng thông lên đến 819GB/s, trong khi một SiP (System-in-Package) với sáu chip HBM trên cùng một silicon có thể đạt tốc độ lên đến 4,8TB/s để hỗ trợ nhu cầu exascale.

ECC tích hợp trên chip

HBM3 của SK hynix cũng được trang bị ECC (mã sửa lỗi) tích hợp mạnh mẽ và được thiết kế tùy chỉnh, sử dụng các bit chẵn lẻ được phân bổ trước để kiểm tra và sửa lỗi trong dữ liệu nhận được. Mạch tích hợp cho phép DRAM tự sửa lỗi trong các ô, nâng cao đáng kể độ tin cậy của thiết bị.

Server Application: