RAM KINGSTON 8GB KVR13E9/8I
Thêm vào Yêu thíchNguồn cung cấp: Tiêu chuẩn JEDEC 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
VDDQ: 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
Tần số xung nhịp: 667MHz fCK cho tốc độ 1333Mb/giây/chan
Ngân hàng nội bộ độc lập: 8 ngân hàng
Độ trễ CAS có thể lập trình: 9, 8, 7, 6
Độ trễ bổ sung có thể lập trình: 0, CL - 2, hoặc CL - 1 xung nhịp
Độ trễ CAS Write có thể lập trình (CWL): 7 (DDR3-1333)
Tiền truy xuất 8-bit
Chiều dài Burst: 8 (liên tục không giới hạn, tuần tự với địa chỉ bắt đầu “000” duy nhất), 4 với tCCD = 4 không cho phép đọc hoặc ghi liền mạch [dùng A12 hoặc MRS khi đang hoạt động]
Data Strobe phân biệt hai chiều
Cảm biến nhiệt: Loại B
Hiệu chuẩn nội bộ (tự động): Thông qua pin ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
Kết thúc nội tuyến: Sử dụng pin ODT
Chu kỳ làm mới trung bình: 7.8us ở nhiệt độ TCASE dưới 85°C, 3.9us ở nhiệt độ TCASE từ 85°C đến 95°C
Đặt lại không đồng bộ
PCB: Chiều cao 1.18” (30mm), linh kiện hai mặt
590,000 đ
Thêm vào So sánhRAM Kingston 8GB KVR13E9/8I: Hiệu Suất Ổn Định Cho Máy Chủ
RAM Kingston 8GB KVR13E9/8I là giải pháp bộ nhớ lý tưởng cho các hệ thống máy chủ cần hiệu suất đáng tin cậy và ổn định. Với dung lượng 8GB và tốc độ DDR3-1333, bộ nhớ này cung cấp khả năng xử lý mượt mà và hiệu quả cho các tác vụ máy chủ, đảm bảo hệ thống hoạt động ổn định và liên tục.
RAM này thuộc dòng sản phẩm Kingston ValueRAM, được thiết kế để đáp ứng các tiêu chuẩn chất lượng cao, đảm bảo tính tương thích và độ tin cậy trong mọi hệ thống. Được trang bị tính năng ECC (Error-Correcting Code), RAM Kingston 8GB KVR13E9/8I giúp phát hiện và sửa lỗi dữ liệu, bảo vệ dữ liệu và tăng cường độ tin cậy của hệ thống.
General
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Độ trễ CAS (CL(IDD)): 9 chu kỳ
Thời gian chu kỳ hàng (tRCmin): 49.5ns (tối thiểu)
Thời gian lệnh làm mới (tRFCmin): 260ns (tối thiểu)
Thời gian hoạt động hàng (tRASmin): 36ns (tối thiểu)
Công suất hoạt động tối đa: 2.767 W*
Xếp hạng UL: 94 V - 0
Nhiệt độ hoạt động: 0°C đến 85°C
Nhiệt độ lưu trữ: -55°C đến +100°C