RAM SamSung - DDR3 - 2GB - bus: 1600, 1866, 2133

Bộ nhớ được lựa chọn rộng rãi nhất

Hoàn hảo cho mọi môi trường tính toán

Được phát triển vào năm 2005, DDR3 đầu tiên của Samsung là giải pháp hệ thống được sử dụng nhiều nhất, từ PC và các thiết bị gia đình, đến ô tô và các thiết bị y tế.

Tốc độ cao và hiệu suất vượt trội

Gấp đôi băng thông so với DDR2

Băng thông và độ tin cậy cải tiến của DDR3 Samsung phục vụ cho một loạt các ứng dụng như máy tính xách tay, máy tính để bàn, và các giải pháp công nghiệp bao gồm cả ô tô, tất cả đều hoạt động nhanh gấp đôi so với DDR2.

Giải pháp DRAM tiết kiệm điện năng, hiệu quả

Giảm tiêu thụ điện năng lên đến 30% so với DDR2

DRAM 30nm đầu tiên trong ngành của Samsung tiêu thụ ít điện năng hơn, giảm tổng chi phí sở hữu (TCO) với mức giảm tiêu thụ điện năng lên đến 30% so với thế hệ trước.

DDR3 SDRAM E-die 4Gb được tổ chức thành thiết bị 128Mbit x 4 I/Os x 8 banks hoặc 64Mbit x 8 I/Os x 8 banks. Thiết bị đồng bộ này đạt tốc độ truyền dữ liệu hai chiều tốc độ cao lên tới 2133Mb/giây/chân (DDR3-2133) cho các ứng dụng chung. Chip được thiết kế để tuân thủ các tính năng chính của DDR3 SDRAM như CAS đăng, CWL có thể lập trình, Tự hiệu chuẩn bên trong, Kết thúc trên chip sử dụng chân ODT và Đặt lại không đồng bộ.

Tất cả các đầu vào điều khiển và địa chỉ đều được đồng bộ hóa với một cặp xung nhịp vi sai được cung cấp bên ngoài. Các đầu vào được khóa tại điểm giao nhau của các xung nhịp vi sai (CK tăng và CK giảm). Tất cả các I/O đều được đồng bộ hóa với một cặp strobes hai chiều (DQS và DQS) theo cách thức đồng bộ nguồn. Bus địa chỉ được sử dụng để truyền tải thông tin địa chỉ hàng, cột và bank theo phong cách ghép kênh RAS/CAS. Thiết bị DDR3 hoạt động với nguồn điện đơn 1,5V ± 0,075V và VDDQ 1,5V ± 0,075V. Thiết bị DDR3 E-die 4Gb có sẵn trong gói 78 bóng FBGA (x4/x8).

CÁC MÃ SẢN PHẨM TƯƠNG ỨNG