SamSung HBM2E Flashbolt - 8GB

Tăng cường sức mạnh của AI

Tăng tốc, mở rộng và đảm bảo công nghệ siêu máy tính và AI

Sự phát triển của siêu máy tính và các công nghệ dựa trên AI đòi hỏi bộ nhớ có chất lượng cao nhất có thể đáp ứng nhu cầu của ngành về băng thông, dung lượng và hiệu suất. HBM2E Flashbolt có thể tăng cường sức mạnh cho AI, xử lý nhiều Dữ liệu Lớn hơn nhờ dung lượng mở rộng và cung cấp băng thông cao.

Động lực cho điện toán hiệu suất cao

Dựa trên kinh nghiệm dẫn đầu trong việc phát triển công nghệ cao cấp trong nhiều ngành công nghiệp như thuật toán AI, khoa học dữ liệu, lái xe tự động, 5G, v.v., Samsung một lần nữa khẳng định vai trò tiên phong trong ngành công nghiệp bộ nhớ với giải pháp HBM2E đầu tiên.

Băng thông cao cho các nhiệm vụ tiên tiến nhất

HBM2E Flashbolt có tốc độ xử lý 3.6 Gbps, nhanh hơn khoảng 1.5 lần so với thế hệ HBM trước đó. Ngoài tốc độ nhanh chóng này, HBM2E Flashbolt đạt được băng thông cao thông qua công nghệ TSV giúp xử lý nhanh các lượng dữ liệu lớn, cải thiện hiệu suất huấn luyện AI khoảng 6 lần so với mức thông thường.* *Dữ liệu dựa trên so sánh 8 GPU với 72 CPU tại dịch vụ đám mây.

Dung lượng tăng gấp đôi để xử lý nhiều dữ liệu hơn

HBM2E Flashbolt cung cấp dung lượng khoảng gấp đôi so với giải pháp HBM thế hệ trước bằng cách xếp chồng tám lớp DRAM 16 Gb thuộc dòng 10nm. Dung lượng lớn hơn cho phép phát triển các mạng nơ-ron sâu hơn, giúp cải thiện đáng kể tốc độ thu thập kết quả cho phân tích Dữ liệu Lớn.

※ Nguồn từ Datasheet của Samsung (Có sẵn theo yêu cầu)

Hiệu suất cao hơn sử dụng ít năng lượng hơn

HBM2E Flashbolt tự hào với sự cải thiện khoảng 18% về hiệu suất năng lượng và khoảng 1K chốt năng lượng nhiều hơn so với giải pháp HBM thế hệ trước. Điều này đảm bảo cung cấp nguồn điện ổn định hơn và tiêu thụ ít năng lượng hơn.

※ Nguồn từ Datasheet của Samsung (Có sẵn theo yêu cầu)

Đáng tin cậy hơn với On Die ECC

HBM2E Flashbolt cung cấp độ tin cậy và ổn định cao với giải pháp On Die ECC. ODECC cho phép tự sửa lỗi nội bộ để cải thiện việc phục hồi dữ liệu bị hỏng và giảm tần suất làm mới. Các lỗi bit đơn được giảm thiểu để cải thiện tổng thể độ tin cậy của dữ liệu.