Samsung UFS 3.1 - 64GB
Thêm vào Yêu thíchUFS 3.1 là một chip bộ nhớ tốc độ cao nhờ vào công nghệ truyền dữ liệu song song, có nghĩa là bộ nhớ UFS 3.1 có thể vừa đọc vừa ghi đồng thời. Trong khi đó, chip bộ nhớ thế hệ trước là eMMC chỉ có thể đọc hoặc ghi tại một thời điểm, làm giảm tốc độ truy cập dữ liệu đáng kể. Với UFS 3.1 mới nhất của Samsung, tốc độ đạt khoảng 2100/1200 MB/s.
UFS 3.1: Tương Lai Của Lưu Trữ Di Động
Samsung UFS 3.1 - 64GB là lưu trữ flash được thiết kế để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của 5G. Với dung lượng lên đến một terabyte và tốc độ ghi ấn tượng, UFS 3.1 được tích hợp trong một thiết kế mỏng lý tưởng cho các thiết bị di động và giải pháp ô tô. Điều này có nghĩa là ít bị trễ hơn và nhiều không gian hơn — giúp bạn tận dụng tối đa các sản phẩm hỗ trợ 5G cách mạng.
Tối Ưu Cho 5G
Tốc độ kết nối dữ liệu 5G vượt xa những gì trước đây, Samsung UFS 3.1 - 64GB cho phép xử lý dữ liệu dung lượng cao. UFS 3.1 là lưu trữ được tối ưu hóa cho các thiết bị hỗ trợ 5G, đáp ứng nhu cầu về nhiều dung lượng lưu trữ, tốc độ nhanh hơn và kiểm soát tốt hơn.
Hiệu Suất Di Động Mạnh Mẽ
Để đáp ứng nhu cầu của các thiết bị 5G, UFS 3.1 cung cấp tốc độ ghi nhanh hơn gấp 3 lần so với thế hệ Universal Flash Storage trước đó. Với tốc độ ghi lên đến 1,200MB/s, ổ lưu trữ này nâng cao hiệu suất cao và giúp ngăn chặn tình trạng trễ khi tải xuống tệp, cho phép bạn tận hưởng kết nối 5G với độ trễ thấp trong một thế giới kết nối không ngừng.
Tốc độ ghi có thể thay đổi theo dung lượng: lên đến 850MB/s cho 128GB, lên đến 1,200MB/s cho 256GB và 512GB.
Trải Nghiệm Tốc Độ Chuẩn JEDEC Ấn Tượng
Nhờ vào các tiêu chuẩn của JEDEC, Samsung UFS 3.1 - 64GB cung cấp lưu trữ hiệu suất cao với tốc độ nghiêm túc. Điều này phần lớn nhờ vào Write Booster, một công nghệ tăng cường tốc độ ghi giúp bạn lưu trữ media nhanh hơn khi tải xuống.
Bộ Nhớ Cho Ký Ức Của Bạn
Khi công nghệ chụp ảnh và video tiến bộ vượt bậc, các thiết bị bạn sử dụng cần có dung lượng lưu trữ để theo kịp. UFS 3.1 có dung lượng lên đến 1TB — mang đến không gian lưu trữ dư dả.
Sức Mạnh Khổng Lồ Trong Thiết Kế Nhỏ Gọn
Để phù hợp với nhiều loại thiết bị, UFS 3.1 được thiết kế chỉ cao 0.8mm. Điều này tạo đủ không gian để tích hợp tất cả phần cứng cần thiết cho kết nối 5G trong khi vẫn cung cấp không gian lưu trữ rộng lớn và nhanh chóng.
*0.8mm áp dụng cho dung lượng 128GB.
Được Thiết Kế Cho Lối Sống 5G Của Bạn
UFS 3.1 có thể được tìm thấy trong các giải pháp ô tô để nâng cao trải nghiệm lái xe của bạn, lưu trữ hệ thống định vị, học máy, và công nghệ khác làm cho xe của bạn thông minh. Nó cũng được sử dụng trong các thiết bị di động kết nối 5G khác cần lưu trữ nhanh và dung lượng lớn, như AR/VR và thiết bị ghi hình. Dù ở trong xe hay tại nhà, UFS 3.1 có khả năng đáp ứng nhu cầu tốc độ cao và dung lượng lớn của bạn.
Tóm Tắt Về UFS 3.1
UFS 3.1 là một chip bộ nhớ tốc độ cao nhờ vào công nghệ truyền dữ liệu song song, có nghĩa là bộ nhớ UFS 3.1 có thể vừa đọc vừa ghi cùng một lúc. Trong khi chip bộ nhớ thế hệ trước là eMMC, chỉ có thể đọc hoặc ghi tại một thời điểm, làm giảm tốc độ truy cập dữ liệu đáng kể. Với UFS 3.1 mới nhất của Samsung, tốc độ đạt khoảng 2100/1200 MB/s.
CÁC MÃ SẢN PHẨM TƯƠNG ỨNG
Part Number | Applications | Voltage | Temperature | Product Status | Interface | Capacity | Version | Package Size |
KLUDG2RHYE-B0EP | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 95 °C | Mass Production | G4 2Lane | 128 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUDG2RHYE-B0EQ | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 105 °C | Mass Production | G4 2Lane | 128 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUEG4RHYE-B0EP | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 95 °C | Mass Production | G4 2Lane | 256 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUEG4RHYE-B0EQ | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 105 °C | Mass Production | G4 2Lane | 256 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUFG8RHYE-B0EP | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 95 °C | Mass Production | G4 2Lane | 512 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUFG8RHYE-B0EQ | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 105 °C | Mass Production | G4 2Lane | 512 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUDG4UHGC-B0E1 | 5G & Connectivity, Mobile | 1.2 / 2.5 V | -25 ~ 85 °C | Mass Production | G4 2Lane | 128 GB | UFS 3.1 | 11 x 13 x 0.8 mm |
KLUEG4RHGB-B0E1 | 5G & Connectivity, Mobile | 1.2 / 2.5 V | -25 ~ 85 °C | Mass Production | G4 2Lane | 256 GB | UFS 3.1 | 11 x 13 x 0.8 mm |
KLUEG8UHGC-B0E1 | 5G & Connectivity, Mobile | 1.2 / 2.5 V | -25 ~ 85 °C | Mass Production | G4 2Lane | 256 GB | UFS 3.1 | 11 x 13 x 0.8 mm |
KLUFG4LHGC-B0E1 | 5G & Connectivity, Mobile | 1.2 / 2.5 V | -25 ~ 85 °C | Mass Production | G4 2Lane | 512 GB | UFS 3.1 | 11 x 13 x 1.0 mm |
KLUFG8RHGB-B0E1 | 5G & Connectivity, Mobile | 1.2 / 2.5 V | -25 ~ 85 °C | Mass Production | G4 2Lane | 512 GB | UFS 3.1 | 11 x 13 x 1.0 mm |
KLUGGARHGB-B0E1 | 5G & Connectivity, Mobile | 1.2 / 2.5 V | -25 ~ 85 °C | Mass Production | G4 2Lane | 1 TB | UFS 3.1 | 11 x 13 x 1.25 mm |
KLUCG2UHYB-B0EP | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 95 °C | Mass Production | G4 2Lane | 64 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUCG2UHYB-B0EQ | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 105 °C | Mass Production | G4 2Lane | 64 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUDG4UHYB-B0EP | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 95 °C | Mass Production | G4 2Lane | 128 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUDG4UHYB-B0EQ | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 105 °C | Mass Production | G4 2Lane | 128 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUEG8UHYB-B0EP | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 95 °C | Mass Production | G4 2Lane | 256 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUEG8UHYB-B0EQ | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 105 °C | Mass Production | G4 2Lane | 256 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.2 mm |
KLUFGAUHYB-B0EP | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 95 °C | Mass Production | G4 2Lane | 512 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.72 mm |
KLUFGAUHYB-B0EQ | Automotive, 5G & Connectivity | 1.2 / 2.5 V | -40 ~ 105 °C | Mass Production | G4 2Lane | 512 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.72 mm |
KLUDG4UHDB-B2E1 | 5G & Connectivity, Mobile | 1.2 / 2.5 V | -25 ~ 85 °C | Mass Production | G4 2Lane | 128 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 0.8 mm |
KLUEG8UHDB-C2E1 | 5G & Connectivity, Mobile | 1.2 / 2.5 V | -25 ~ 85 °C | Mass Production | G4 2Lane | 256 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.0 mm |
KLUFG8RHDA-B2E1 | 5G & Connectivity, Mobile | 1.2 / 2.5 V | -25 ~ 85 °C | Archived | G4 2Lane | 512 GB | UFS 3.1 | 11.5 x 13 x 1.0 mm |
Samsung UFS 3.1 - 64GB là một sản phẩm bộ nhớ lưu trữ dành cho các thiết bị di động, đặc biệt là smartphone, máy tính bảng, và các thiết bị điện tử khác, sử dụng công nghệ UFS 3.1 (Universal Flash Storage), mang lại hiệu suất đọc/ghi nhanh chóng và hiệu quả.
1. Tính năng và Đặc điểm của Samsung UFS 3.1 - 64GB
UFS 3.1: Đây là phiên bản mới nhất của công nghệ UFS, mang đến tốc độ truyền tải nhanh hơn so với các phiên bản trước như UFS 3.0 và UFS 2.1. Điều này giúp cải thiện hiệu suất của các thiết bị di động khi xử lý các ứng dụng, tải dữ liệu hoặc chơi game với đồ họa cao.
Tốc độ đọc và ghi:
Tốc độ đọc lên đến 2100 MB/s và tốc độ ghi lên đến 1200 MB/s (tùy theo mô-đun và ứng dụng). Với tốc độ này, các thiết bị sử dụng bộ nhớ UFS 3.1 sẽ có khả năng tải ứng dụng nhanh hơn, truy cập dữ liệu nhanh hơn, và chạy các tác vụ đa nhiệm hiệu quả hơn.
Dung lượng 64GB: Bộ nhớ có dung lượng 64GB phù hợp cho những thiết bị có yêu cầu lưu trữ vừa phải, giúp người dùng lưu trữ các ứng dụng, dữ liệu, hình ảnh, và video mà không lo hết dung lượng. Tuy dung lượng không quá lớn so với các lựa chọn cao hơn, nhưng vẫn đủ cho người dùng thông thường hoặc những thiết bị có thiết kế mỏng nhẹ.
2. Ưu điểm của Samsung UFS 3.1 - 64GB
Hiệu suất nhanh hơn: Với tốc độ truyền tải nhanh từ UFS 3.1, bạn sẽ cảm nhận được sự khác biệt rõ rệt khi mở ứng dụng, chơi game, hoặc khi sao chép dữ liệu, nhờ vào khả năng đọc/ghi dữ liệu cực kỳ nhanh.
Tiết kiệm năng lượng: UFS 3.1 được thiết kế để tiết kiệm năng lượng, điều này giúp kéo dài thời gian sử dụng pin của các thiết bị di động khi sử dụng bộ nhớ này.
Tăng cường khả năng đa nhiệm: Các thiết bị sử dụng UFS 3.1 có thể xử lý nhiều tác vụ đồng thời mà không bị gián đoạn hoặc chậm trễ, giúp người dùng có trải nghiệm mượt mà khi chuyển đổi giữa các ứng dụng hoặc làm việc với dữ liệu lớn.
Độ bền cao: Bộ nhớ UFS 3.1 có độ bền cao và khả năng hoạt động ổn định lâu dài, giúp người dùng yên tâm về độ tin cậy của thiết bị khi sử dụng trong thời gian dài.
3. Ứng dụng của Samsung UFS 3.1 - 64GB
Smartphone cao cấp: Samsung UFS 3.1 64GB thường được sử dụng trong các smartphone và máy tính bảng cao cấp, nơi tốc độ truyền tải dữ liệu nhanh chóng và hiệu suất cao là yếu tố quan trọng.
Thiết bị điện tử tiêu dùng khác: Ngoài điện thoại, bộ nhớ này cũng có thể được sử dụng trong các thiết bị như máy tính bảng, máy ảnh kỹ thuật số, hoặc thiết bị đeo thông minh.
Lưu trữ trong các thiết bị di động: Các thiết bị có bộ nhớ 64GB này cung cấp đủ dung lượng cho việc lưu trữ các ứng dụng, tài liệu, hình ảnh, video và các tệp tin khác trên điện thoại di động hoặc máy tính bảng.
4. Lý do nên chọn Samsung UFS 3.1 - 64GB
Hiệu suất nhanh: Bộ nhớ này cung cấp tốc độ truyền tải cực nhanh, mang lại trải nghiệm người dùng vượt trội.
Độ tin cậy của thương hiệu Samsung: Samsung là một trong những nhà sản xuất bộ nhớ lưu trữ hàng đầu trên thế giới, đảm bảo chất lượng sản phẩm cao.
Lưu trữ nhanh và an toàn: Với công nghệ UFS 3.1, bộ nhớ này giúp tăng cường hiệu suất và độ ổn định trong khi vẫn đảm bảo bảo mật dữ liệu.
Tổng kết:
Samsung UFS 3.1 - 64GB là một lựa chọn tuyệt vời cho các thiết bị di động cao cấp và các thiết bị điện tử khác cần hiệu suất bộ nhớ cao, giúp cải thiện tốc độ truyền tải dữ liệu và khả năng đa nhiệm. Với tốc độ đọc/ghi nhanh và hiệu quả tiết kiệm năng lượng, sản phẩm này mang lại trải nghiệm người dùng mượt mà và ổn định.
VDO là Đối tác phân phối các sản phẩm Samsung tại Việt Nam. Khách hàng doanh nghiệp và khách hàng dự án có nhu cầu đầu tư, mua sắm sản phẩm linh kiện của Samsung vui lòng liên hệ theo số hotline 1900 0366 hoặc email: info@vdo.vn để nhận chính sách giá tốt nhất.
🏢 Hà Nội: Tòa Detech Tower, số 8 Tôn Thất Thuyết, Mỹ Đình 2, Nam Từ Liêm, Hà Nội
🏢 TP. Hồ Chí Minh: Tòa Nhà SCREC (Block B 10.1), 974A Trường Sa, Phường 12, Quận 3, TP. Hồ Chí Minh
☎️ 1900 0366
#VDO #VDOEcommerce #Alwaysforyou #Luônvìbạn
#samsung #linh kiệnSamsung #ramsamsung #hddsamsung
General
Write Speed Up to 1,200MB/s
Storage1TB
Part number list
KLUCG2UHYB-B0EP
KLUCG2UHYB-B0EQ