Samsung đã chính thức đưa HBM4 vào sản xuất hàng loạt và giao những lô hàng thương mại đầu tiên ra thị trường, trở thành một trong những hãng tiên phong thương mại hóa thế hệ bộ nhớ băng thông cao mới nhất cho AI và trung tâm dữ liệu. Cột mốc này giúp hãng sớm chiếm lợi thế trong phân khúc bộ nhớ dành cho các hệ thống điện toán hiệu năng cực cao.
HBM4 được phát triển trên tiến trình DRAM thế hệ thứ 6 lớp 10nm (1c), kết hợp với base die logic 4nm. Nhờ áp dụng thẳng tiến trình tiên tiến ngay từ đầu, Samsung đạt tỷ lệ thành phẩm ổn định khi bước vào sản xuất hàng loạt mà không cần điều chỉnh lại thiết kế. Sự kết hợp giữa DRAM 1c và logic 4nm giúp tối ưu đồng thời hiệu năng, mức tiêu thụ điện và độ tin cậy vận hành cho các hạ tầng AI quy mô lớn.
Về hiệu suất, HBM4 đạt tốc độ truyền dữ liệu ổn định 11,7Gbps – cao hơn khoảng 46% so với chuẩn 8Gbps trước đây và vượt 1,22 lần mức tối đa 9,6Gbps của HBM3E. Trong điều kiện tối ưu, tốc độ có thể nâng lên tới 13Gbps, giúp giảm đáng kể tình trạng nghẽn dữ liệu khi các mô hình AI ngày càng phình to.
Băng thông mỗi stack được đẩy lên tối đa 3,3TB/s, gấp 2,7 lần thế hệ trước. Sản phẩm hiện có cấu hình 12 lớp với dung lượng 24GB và 36GB; phiên bản 16 lớp dự kiến ra mắt trong thời gian tới sẽ nâng dung lượng lên 48GB để đáp ứng lộ trình phát triển GPU và ASIC thế hệ mới.

Để xử lý thách thức số chân I/O tăng từ 1.024 lên 2.048, Samsung đã cải tiến thiết kế core die, đồng thời áp dụng công nghệ TSV điện áp thấp và tối ưu mạng phân phối điện (PDN). Nhờ đó, HBM4 cải thiện 40% hiệu quả năng lượng, tăng 10% khả năng chịu nhiệt và nâng 30% hiệu suất tản nhiệt so với HBM3E.
Lợi thế của Samsung còn đến từ sự tích hợp chặt chẽ giữa mảng Foundry và Memory theo phương pháp đồng tối ưu hóa thiết kế – công nghệ (DTCO), giúp nâng cao chất lượng và tỷ lệ thành phẩm. Năng lực đóng gói tiên tiến nội bộ cũng rút ngắn chu kỳ sản xuất và thời gian giao hàng.
Trong thời gian tới, Samsung sẽ mở rộng hợp tác kỹ thuật với các nhà sản xuất GPU toàn cầu và các hyperscaler phát triển ASIC thế hệ mới. Hãng kỳ vọng doanh số HBM năm 2026 sẽ tăng hơn ba lần so với 2025, đồng thời chủ động mở rộng công suất HBM4. Sau giai đoạn thương mại hóa HBM4, phiên bản HBM4E dự kiến được gửi mẫu từ nửa cuối 2026, còn các dòng HBM tùy chỉnh sẽ bắt đầu tiếp cận khách hàng từ năm 2027, tiếp tục củng cố vị thế của Samsung trong cuộc đua bộ nhớ cho AI.



good
Awesome
Nice