Intel® Xeon® 09-E5620
Thêm vào Yêu thíchLõi: 4
Luồng: 8
Xung nhịp cơ bản: 2.40 GHz
Xung nhịp tối đa: 2.66 GHz
Công nghệ Intel® Hyper-Threading hỗ trợ xử lý đa luồng
Công nghệ Intel® Turbo Boost tự động nâng cao hiệu suất
Hỗ trợ bộ nhớ DDR3 và công nghệ Intel® QPI
Hiệu suất cao và đáng tin cậy cho máy chủ và ứng dụng doanh nghiệp
690,000 đ
Thêm vào So sánhIntel® Xeon® Processor E5620: Hiệu Năng Cao và Đáng Tin Cậy Cho Máy Chủ
Bộ vi xử lý Intel® Xeon® E5620 là lựa chọn lý tưởng cho các hệ thống máy chủ và ứng dụng doanh nghiệp yêu cầu hiệu suất ổn định và khả năng xử lý cao. Với 4 lõi và 8 luồng, cùng với xung nhịp cơ bản 2.40 GHz và khả năng tăng cường lên tới 2.66 GHz, bộ vi xử lý này đáp ứng tốt nhu cầu xử lý các tác vụ đa nhiệm và ứng dụng phức tạp.
Intel® Xeon® E5620 hỗ trợ công nghệ Intel® Hyper-Threading, giúp cải thiện khả năng xử lý đồng thời của các ứng dụng, và công nghệ Intel® Turbo Boost, cho phép bộ vi xử lý tự động nâng cao hiệu suất khi cần thiết. Hỗ trợ bộ nhớ DDR3 và công nghệ Intel® QPI (QuickPath Interconnect) giúp tối ưu hóa hiệu suất hệ thống và mở rộng băng thông.
General
Thông tin chung
Số hiệu mô hình: E5620
Số hiệu CPU: AT80614005073AB
Số hiệu hộp: BX80614E5620
Tần số (MHz): 2400
Tốc độ bus (MHz): 2933 MHz QPI
Đóng gói: 1366-pin Flip-Chip Land Grid Array (FC-LGA10)
Socket: Socket 1366
Kích thước: 1.77" x 1.67" / 4.5 cm x 4.25 cm
Kiến trúc / Kiến trúc vi mô
Nhân bộ xử lý: Westmere-EP
Bước lõi: B1 (SLBV4)
Công nghệ chế tạo: 0.032 micron High-K metal gate process
Bề rộng dữ liệu: 64 bit
Số lõi: 4
Đơn vị số thực: Tích hợp
Kích thước bộ nhớ đệm Level 1:
4 x 32 KB bộ nhớ đệm lệnh
4 x 32 KB bộ nhớ đệm dữ liệu
Kích thước bộ nhớ đệm Level 2: 4 x 256 KB
Kích thước bộ nhớ đệm Level 3: 12 MB
Xử lý đa luồng: Tối đa 2 bộ xử lý
Tính năng:
Tập lệnh MMX
SSE
SSE2
SSE3
SSE3 bổ sung
SSE4.1
SSE4.2
Tập lệnh AES
Công nghệ EM64T
Bit Disable Execute
Công nghệ Hyper-Threading
Công nghệ ảo hóa
Công nghệ Trusted Execution
Công nghệ Turbo Boost
Tính năng tiết kiệm điện năng: Công nghệ Enhanced SpeedStep
Thiết bị ngoại vi tích hợp:
Bộ điều khiển bộ nhớ DDR3 SDRAM 3 kênh tích hợp
Quick Path Interconnect
Thông số điện/ Nhiệt
Điện áp Vcore (V): 0.8 - 1.3
Công suất thiết kế nhiệt (TDP) (W): 80
Ghi chú về Intel AT80614005073AB
Bộ vi xử lý nhúng
Bộ điều khiển bộ nhớ hỗ trợ bộ nhớ DDR3-800 và DDR3-1066