RAM SamSung - DDR4 - 8GB - bus 2133, 2400, 2666, 3200
Thêm vào Yêu thíchDễ dàng xử lý khối lượng công việc lớn với tốc độ cao hơn, DDR4 truyền nhiều dữ liệu nhanh hơn bao giờ hết, cung cấp 4 nhóm bank (tổng cộng 16 bank) để giảm thiểu độ trễ interleaving, cùng với băng thông 3.200 Mbps và bộ nhớ hệ thống 1 TB/s.
Danh sách mã số linh kiện
K4A8G085WC-BITD | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G165WB-BCWE
K4A8G165WC-BITD | K4A8G165WC-BIWE | K4A8G045WB-BCRC
K4A8G045WB-BCTD | K4A8G045WC-BCTD | K4A8G085WB-BCPB
K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WB-BIRC
K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WC-BCRC
K4A8G085WC-BCTD | K4A8G165WB-BCPB | K4A8G165WB-BCRC
K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WB-BIRC | K4A8G165WB-BITD
K4A8G165WB-BIWE | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WC-BCRC
K4A8G165WC-BCTD
Hiệu suất tuyệt vời cho mọi giải pháp
Tốc độ vượt trội, độ tin cậy cao, tiêu thụ năng lượng thấp
Bộ nhớ hiệu suất cao giúp cung cấp các giải pháp mạnh mẽ, nhanh hơn. Samsung DDR4 mang lại tốc độ hàng đầu với băng thông và độ tin cậy tốt hơn trong khi sử dụng ít năng lượng hơn.
Một bước tiến trong hiệu suất
Băng thông tăng lên đến 3.200 Mbps
Dễ dàng xử lý khối lượng công việc lớn với tốc độ cao hơn, DDR4 truyền nhiều dữ liệu nhanh hơn bao giờ hết, cung cấp 4 nhóm bank (tổng cộng 16 bank) để giảm thiểu độ trễ interleaving, cùng với băng thông 3.200 Mbps và bộ nhớ hệ thống 1 TB/s.
Ít năng lượng hơn, hiệu quả hơn
Công nghệ quy trình tiên tiến
Giảm công suất lõi và bật/tắt
Công nghệ quy trình 1x nm tiên phong trong ngành của Samsung giúp DDR4 tiêu thụ ít năng lượng hơn trong khi tăng cường hiệu suất, giảm tổng chi phí sở hữu (TCO). Điện áp hoạt động thấp 1,2V và giao diện Pseudo Open Drain (POD) giúp giảm tiêu thụ điện năng, tiết kiệm đến 25% năng lượng.
Độ tin cậy được cải thiện
Truyền tải an toàn CRC
Bit parity ngăn ngừa lỗi
Độ tin cậy của hệ thống ngày càng trở nên quan trọng hơn khi các trung tâm dữ liệu xử lý nhiều lưu lượng truy cập hơn. Các tính năng tiên tiến của Samsung DDR4 đảm bảo truyền dữ liệu vượt trội, bao gồm Write CRC để nhận biết lỗi đa bit và kiểm tra parity cho CMD/ADD để ngăn chặn sự cố hệ thống.
Dòng RAM Samsung 8GB DDR4 đã cải thiện hiệu suất máy tính theo cách tốt nhất với các đặc điểm sau:
Khả năng tăng băng thông lên đến 30%.
Giảm tiêu thụ năng lượng lên đến 40% và kéo dài tuổi thọ hoạt động của máy tính.
Tăng tốc độ truy cập để cải thiện thông lượng dữ liệu tuần tự.
Tối ưu hóa cho các bộ xử lý và nền tảng thế hệ mới nhất.
Dung lượng module đơn lên đến 8GB.
Sử dụng điện áp 1,2V, tiêu thụ điện năng ít hơn 20% so với các dòng RAM DDR3 có điện áp 1,5V, tốc độ nhanh hơn nhiều so với các module DDR3.
Samsung 8GB DDR4 RAM được thiết kế để tăng băng thông bộ nhớ lên trên 30%, cho phép hệ thống của bạn xử lý nhiều dữ liệu cùng một lúc nhanh hơn và tốt hơn nhiều so với dòng DDR3.
CÁC MÃ SẢN PHẨM TƯƠNG ỨNG
General
Dung lượng: 8GB
Hỗ trợ: SO-DIMM (Laptop)
Voltage: 1.2v