Samsung và Kioxia rút lui, giá NAND MLC giao ngay được cho là đã tăng gấp 3 kể từ cuối năm 2025 3

Khi các nhà sản xuất bộ nhớ toàn cầu chuyển hướng sang các giải pháp dung lượng cao và dần loại bỏ NAND 2D truyền thống, nguồn cung chip NAND phổ thông dung lượng thấp đang thắt chặt mạnh, đẩy giá giao ngay tăng vọt. Theo Chosun Ilbo, giá giao ngay NAND 64Gb MLC đã tăng hơn 300% so với cuối năm 2025, gần đây được giao dịch trong khoảng 20-28 USD.

Các nhà cung cấp NAND lớn đang tích cực chuyển đổi công suất từ NAND 2D sang HBM và NAND 3D tiên tiến, qua đó thúc đẩy xu hướng tăng giá trên diện rộng. Chosun Ilbo cho biết Samsung đã bắt đầu dần đóng cửa dây chuyền sản xuất NAND 2D tại Hwaseong Line 12 từ tháng 3, đồng thời chuyển đổi nhà máy này thành cơ sở sản xuất DRAM 1c. Công ty dự kiến chấm dứt các lô hàng sau đợt giao cuối cùng vào tháng tới, qua đó chính thức khép lại “pháo đài” NAND 2D cuối cùng với công suất 80.000-100.000 wafer mỗi tháng.

Kioxia, SK hynix và Micron cũng đang duy trì sản lượng MLC chủ yếu để đáp ứng nhu cầu hiện có từ khách hàng, gần như không có động lực mở rộng công suất, theo TrendForce. Vì vậy, công suất NAND Flash MLC toàn cầu được dự báo giảm 41,7% YoY trong năm 2026, khiến mất cân đối cung cầu ngày càng nghiêm trọng.

Kioxia China, như TechNews từng đưa tin, đã phát thông báo ngừng vòng đời sản phẩm (EOL) vào ngày 31/3, cho biết một số dòng floating-gate NAND và BiCS FLASH thế hệ thứ ba sẽ bị loại bỏ dần vào năm 2028. Chosun Ilbo cho biết thêm công ty dự kiến nhận đơn đặt hàng cuối cùng trước cuối tháng 9 năm nay, hoàn tất giao hàng cuối cùng vào tháng 12/2028 và rút hoàn toàn khỏi NAND 2D cùng BiCS FLASH thế hệ 3 từ năm 2029.

Trong khi đó, Micron vẫn duy trì sản xuất NAND MLC ở mức vừa đủ đáp ứng nhu cầu khách hàng hiện tại, đồng thời cũng công bố chấm dứt thương hiệu tiêu dùng Crucial, theo Chosun Ilbo.

MLC dần biến mất khi các hãng bộ nhớ đẩy mạnh NAND 3D nhiều lớp hơn

MLC, công nghệ lưu trữ 2 bit mỗi cell, có độ bền và khả năng lưu giữ dữ liệu tốt hơn dù dung lượng thấp hơn so với TLC 3 bit và QLC 4 bit, theo Chosun Ilbo. Tuy nhiên, lợi nhuận thấp được cho là nguyên nhân khiến công nghệ này dần bị loại khỏi thị trường.

Trong khi đó, các ông lớn bộ nhớ đang chuyển công suất sang NAND 3D nhiều lớp hơn nhằm đáp ứng nhu cầu AI bùng nổ. ET News cho biết NAND đã trở thành trọng tâm chiến lược tiếp theo của Samsung, tập trung vào các thiết bị NAND lớp 400-layer (V10). Samsung bắt đầu sản xuất hàng loạt NAND V9 286 lớp từ tháng 4/2024 và đây hiện vẫn là sản phẩm NAND thương mại tiên tiến nhất của hãng.

Theo báo cáo, SK hynix hiện đã sản xuất hàng loạt NAND 321 lớp và cung ứng cho khách hàng, khiến Samsung phần nào bị chậm lại trong cuộc đua số lớp NAND.

Ở chiều ngược lại, Nikkei trước đó đưa tin Kioxia dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt NAND Flash thế hệ thứ 10 với 332 lớp vào khoảng năm 2026, nhắm tới nhu cầu lưu trữ tốc độ cao, tiết kiệm điện cho AI tạo sinh đang tăng mạnh. Công ty kỳ vọng mở rộng hợp tác với các hyperscaler như Amazon Web Services và Microsoft, trong bối cảnh các “ông lớn” đám mây ngày càng tìm kiếm giải pháp lưu trữ tiên tiến để phục vụ khối lượng công việc AI.